第三代半导体材料氮化镓(GaN)技术与优势详解

2021-12-09 00:51 777拉霸电玩城送分

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本文摘要:第三代半导体器件氮化镓(GaN),做为当下新起的半导体材料生产工艺,获得摆脱硅的多种多样优点。与硅器件相比,GaN在电源转换高效率和功率上搭建了特性的发展,广泛运用于功率因素校准(PFC)、硬电源DC-DC等电源控制系统设计,及其电源电源适配器、光伏逆变器或太阳能发电逆变电源、网络服务器及通讯电源等终端设备行业。 GaN的优点 从表格1由此可见,GaN不具有出色的透过能力、高些的电子密度及速率,和高些的操作温度。

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第三代半导体器件氮化镓(GaN),做为当下新起的半导体材料生产工艺,获得摆脱硅的多种多样优点。与硅器件相比,GaN在电源转换高效率和功率上搭建了特性的发展,广泛运用于功率因素校准(PFC)、硬电源DC-DC等电源控制系统设计,及其电源电源适配器、光伏逆变器或太阳能发电逆变电源、网络服务器及通讯电源等终端设备行业。  GaN的优点  从表格1由此可见,GaN不具有出色的透过能力、高些的电子密度及速率,和高些的操作温度。

GaN获得低电子器件电子密度,这意味著电源全过程的反向恢复時间可忽略,因此展示出出有无耗并获得低电源頻率,而无耗再加光纤宽带长器件的低结温特点,可降低制热量,低电源頻率可提升过滤器和微波感应器器件如变电器、电容器、电感器等的用以,最终扩大系统软件规格和净重,提升 功率,有利于设计方案工作人员搭建灵便的高能耗等级电源计划方案。同是光纤宽带长器件,GaN比SiC的成本费更为较低,更为更非常容易商业化的和不具有广泛应用的发展潜力。  表格1:半导体器件重要特点一览  GaN在电源运用于已证实能获得高过硅基器件的最重要特性优点。

安森美半导体材料和输出功率转换权威专家Transphorm早就协作,合作开发及协同拓张根据GaN的商品和电源系统软件计划方案,作为工业生产、电子计算机、通讯、LED灯光及互联网行业的各种各样髙压运用于。上年,俩家企业已联名信开售600VGaN联级构造(Cascode)晶体三极管NTP8G202N和NTP8G206N,2款器件的通断电阻器各自为290M?和150m?,门趋于电荷皆为6.2nC,键入电容器各自为36pF和56pF,反向恢复电荷各自为0.029C和0.055C,应用提升的TO-220PCB,更非常容易依据顾客目前的制版工艺能力而搭建。

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  根据同一通断电阻器级别,第一代600V硅基GaN(GaN-on-Si)器件已比髙压硅MOSFET获得好4倍之上的门极电荷、更优的键入电荷、类似的键入电容器合好20倍之上的反向恢复电荷,并将仍待以后改进,将来GaN的优点将不容易更为明显。


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